第五版图形用双倍数据传输率存储器是一种高性能显卡使用的同步动态随机存取存储器，专为高带宽需求计算机应用所设计。由AMD、SK Hynix、三星电子、NVIDIA、JEDEC等联合制定，取代GDDR3以及GDDR4显示存储器。GDDR5和GDDR4一样基于DDR3 SDRAM改造而来，基本存储器架构和DDR3相若，存储器预取也是相同的8n设置。所谓的“预取”，及存储器芯片内部的存储器数组传输率与输出/输入(I/O)访问传输率的比值，“8n”代表I/O缓冲器一次读取存储器数组中8位的数据，提升存储器外部的传输速度。

gddr5的特点是什么?

GDDR5为了增大带宽并降低延时，避免出现GDDR4那样高带宽但高延时的情况，与DDR3相比，GDDR5显示存储器使用了DQ并行双数据总线，相当于提供了在GDDR3的基础上多加了一条通道，而GDDR3显示存储器、DDR3存储器却只有一条通道;另外，GDDR5采用时钟频率分离的设计，地址与命令总线采用其中一组时钟频率信号，而数据总线则采用另外独立的一组，且为地址与命令总线时钟频率的两倍。所以GDDR5的理论速度可达DDR3的四倍、GDDR3/GDDR4的两倍，5GT/s以上的高传输率(亦即坊间所谓的5GHz高频)变成可能，通过高频率有可能使一款128bit的显卡性能超过DDR3的256bit显卡。。相比GDDR3或GDDR4显示存储器而言工作电压从1.8V降为电压仅有1.5V，还具有新电源管理技术，功耗更低。且GDDR3使用的为80nm制程，而GDDR5为55nm，制程的提高使芯片的体积缩小，发热量也可以低许多。